机译:通过pi模型分布式ESD保护方案优化宽带RF性能和ESD鲁棒性
机译:宽带射频电路的尺寸减小的分布式ESD保护方案
机译:第二部分:采用28nm CMOS的全集成RF PA,具有旨在优化性能和ESD鲁棒性的器件设计
机译:具有减小尺寸的分布式保护方案的宽带RF电路的ESD保护设计
机译:高速接口IC中ESD保护的区域高效设备优化
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:先进的集成工艺和ESD保护结构,可针对四分之一微米技术优化GOI,HCE和ESD性能